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Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
比较
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
总分
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
总分
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
5
16.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,135.0
13.5
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
26
51
左右 -96% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
21300
6400
左右 3.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
51
26
读取速度,GB/s
5,021.4
16.8
写入速度,GB/s
2,135.0
13.5
内存带宽,mbps
6400
21300
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
855
2880
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5403-492.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GFX 16GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Corsair CM4X8GC3000C15K4 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRH3000D464L16S/8G 8GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FJ 16GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Kingston 9905744-006.A00G 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Kingston LV26D4S9S8HJ-8 8GB
SK Hynix Kingston 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17041C 4GB
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