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Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB
比较
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB vs InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB
总分
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
总分
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
36
101
左右 64% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
13.7
12.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
8.2
6.7
测试中的平均数值
需要考虑的原因
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
36
101
读取速度,GB/s
13.7
12.1
写入速度,GB/s
8.2
6.7
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2208
1382
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB RAM的比较
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SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Samsung M471A2G43BB2-CWE 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Kingston MSI24D4S7D8MB-8 8GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
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Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Kingston MSI24D4S7D8MH-16 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston RB24D4U7S8MB-8 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Smart Modular SF464128CKHIWDFSEG 4GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666S464L19/16G 16GB
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