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Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB
比较
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB vs Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB
总分
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
总分
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
28
36
左右 -29% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15.4
13.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.3
8.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
10600
左右 2.42 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
36
28
读取速度,GB/s
13.7
15.4
写入速度,GB/s
8.2
10.3
内存带宽,mbps
10600
25600
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
2208
2892
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
SK Hynix HMA82GR7JJR8N-VK 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Transcend Information TS512MLH64V1H 4GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
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Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Kingston 9905663-021.A00G 16GB
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Corsair CMK16GX4M2B3733C17 8GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
G Skill Intl F4-3400C16-4GRBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9905744-023.A00G 16GB
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