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Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Samsung M393A4K40CB2-CTD 32GB
比较
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB vs Samsung M393A4K40CB2-CTD 32GB
总分
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
总分
Samsung M393A4K40CB2-CTD 32GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
36
59
左右 39% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
13.7
9.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
8.2
7.2
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Samsung M393A4K40CB2-CTD 32GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Samsung M393A4K40CB2-CTD 32GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
36
59
读取速度,GB/s
13.7
9.1
写入速度,GB/s
8.2
7.2
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2208
2025
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Micron Technology 4ATS1G64HZ-2G3B1 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Essencore Limited KD4AGS88C-32N220D 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMW64GX4M4E3200C16 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
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Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Corsair CM4B16G1J2400A16K2-O 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
SK Hynix HMA42GR7MFR4N-TFTD 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
EVGA 16G-D4-2400-MR 8GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Corsair CM4X8GD3200C16K2E 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-2933C14-16GTZRX 16GB
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