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Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB
比较
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB
总分
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
总分
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB
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Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
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Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
18
36
左右 -100% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
20.4
13.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
17.2
8.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
36
18
读取速度,GB/s
13.7
20.4
写入速度,GB/s
8.2
17.2
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2208
3814
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZSW 8GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Kingston MSI24D4U7S8MH-8 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston MSI24D4S7D8MH-16 16GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FE 16GB
Corsair CMX32GX3M4A1600C11 8GB
Corsair CMK8GX4M1E3200C16 8GB
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G Skill Intl F4-4500C19-8GTZKKE 8GB
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