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Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston MSI24D4S7D8MH-16 16GB
比较
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs Kingston MSI24D4S7D8MH-16 16GB
总分
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
总分
Kingston MSI24D4S7D8MH-16 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
26
35
左右 26% 更低的延时
需要考虑的原因
Kingston MSI24D4S7D8MH-16 16GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
14.4
12.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
9.3
9.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston MSI24D4S7D8MH-16 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
26
35
读取速度,GB/s
12.8
14.4
写入速度,GB/s
9.0
9.3
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2143
2495
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB RAM的比较
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Kingston MSI24D4S7D8MH-16 16GB RAM的比较
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
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Kingston 9905402-665.A00LF 4GB
Kingston 9905402-174.A00G 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Heoriady HX2666DT8G-TD 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Corsair CMK16GX4M4A2133C15 4GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Crucial Technology BLE8G4D36BEEAK.M8FE3 8GB
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G3A2 32GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVRB 8GB
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