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Kingston 9905403-500.A01LF 8GB
Crucial Technology BLM8G44C19U4BL.M8FE1 8GB
比较
Kingston 9905403-500.A01LF 8GB vs Crucial Technology BLM8G44C19U4BL.M8FE1 8GB
总分
Kingston 9905403-500.A01LF 8GB
总分
Crucial Technology BLM8G44C19U4BL.M8FE1 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
27
40
左右 -48% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
22
11.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
19.6
7.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston 9905403-500.A01LF 8GB
Crucial Technology BLM8G44C19U4BL.M8FE1 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
40
27
读取速度,GB/s
11.9
22.0
写入速度,GB/s
7.2
19.6
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2124
4052
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GVSB 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
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Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Kingston KV0M5R-HYD 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G320081 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Crucial Technology BLE4G4D30AEEA.K8FE 4GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSB.16FBR 16GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
I’M Intelligent Memory Ltd. PF4OUN-2400CH0-08G-A 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Kingston KHX3000C15/16GX 16GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Kingston HP26D4U9S8ME-8 8GB
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