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Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Crucial Technology CB16GS2666.C8ET 16GB
比较
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB vs Crucial Technology CB16GS2666.C8ET 16GB
总分
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
总分
Crucial Technology CB16GS2666.C8ET 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
32
左右 16% 更低的延时
需要考虑的原因
Crucial Technology CB16GS2666.C8ET 16GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
15
13
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.3
9.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Crucial Technology CB16GS2666.C8ET 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
27
32
读取速度,GB/s
13.0
15.0
写入速度,GB/s
9.0
10.3
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2489
2895
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
G Skill Intl F4-3300C16-4GRRD 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
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Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Corsair CMK128GX4M8B3000C16 16GB
Kingston MSI16D3LS1MNG/8G 8GB
Samsung M393A1G43DB0-CPB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Crucial Technology CT8G4DFD8213.M16FB 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Kingston 9905665-020.A00G 4GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Kingston 9905663-006.A00G 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BXFSHC 8GB
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