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Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Kingston 9965669-025.A00G 8GB
比较
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB vs Kingston 9965669-025.A00G 8GB
总分
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
总分
Kingston 9965669-025.A00G 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
23
27
左右 -17% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15.8
13
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
9.5
9.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Kingston 9965669-025.A00G 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
27
23
读取速度,GB/s
13.0
15.8
写入速度,GB/s
9.0
9.5
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2489
2639
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB RAM的比较
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Kingston 9965669-025.A00G 8GB RAM的比较
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GTZ 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Samsung M386A4G40DM1-CRC 32GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingston 9905622-024.A00G 4GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZKKC 8GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FN 8GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Corsair CM4X8GD3000C15K4 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Transcend Information JM3200HLB-16G 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.C4FE 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FBD 16GB
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