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Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3B1 32GB
比较
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB vs Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3B1 32GB
总分
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
总分
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3B1 32GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
34
左右 21% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
13
11.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
9.0
7.6
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3B1 32GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3B1 32GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
27
34
读取速度,GB/s
13.0
11.2
写入速度,GB/s
9.0
7.6
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2489
2245
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB RAM的比较
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMW64GX4M4C3000C15 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
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Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZ 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Shenzhen Technology Co Ltd 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3200D 16GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZ 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJK 4GB
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