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Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
比较
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB vs Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
总分
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
总分
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
58
左右 53% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
13
9.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
9.0
7.5
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
27
58
读取速度,GB/s
13.0
9.7
写入速度,GB/s
9.0
7.5
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2489
2172
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Samsung M393A2K40BB1-CRC 16GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Corsair CMH128GX4M4E3200C16 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Super Talent F21UB8GS 8GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Samsung M378A4G43AB2-CVF 32GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Essencore Limited IM44GU48N21-FFFHM 4GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZR 8GB
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