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Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB
比较
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB vs OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB
总分
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
总分
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
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需要考虑的原因
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB
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更快的读取速度,GB/s
17.4
13
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.5
9.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
12800
左右 2 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
27
27
读取速度,GB/s
13.0
17.4
写入速度,GB/s
9.0
14.5
内存带宽,mbps
12800
25600
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
2489
3692
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Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMA851U6DJR6N-WM 4GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESTK.M8FE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston HP26D4U9D8ME-16X 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Essencore Limited KD44GU481-26N1600 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
SK Hynix HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
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