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Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FDR2 8GB
比较
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB vs Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FDR2 8GB
总分
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
总分
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FDR2 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
25
32
左右 22% 更低的延时
需要考虑的原因
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FDR2 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
15.7
12.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.6
8.6
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FDR2 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
25
32
读取速度,GB/s
12.8
15.7
写入速度,GB/s
8.6
11.6
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2239
2779
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-2666C15-8GVB 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR4N
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Apacer Technology D22.23263S.002 16GB
SK Hynix HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FAD1 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZ 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJW 4GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Apacer Technology 78.C1GMM.AUF0B 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Corsair CMK32GX4M2D3600C18 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVR 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Corsair CMK32GX4M4Z2933C16 8GB
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