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Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FHP 8GB
比较
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB vs Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FHP 8GB
总分
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
总分
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FHP 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
25
30
左右 17% 更低的延时
需要考虑的原因
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FHP 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
15.2
12.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
9.0
8.6
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FHP 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
25
30
读取速度,GB/s
12.8
15.2
写入速度,GB/s
8.6
9.0
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2239
2355
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3200C16-16GVKA 16GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GIS 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Panram International Corporation W4U2400PS-8G 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Gloway International (HK) STKD4XMP2400-F 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GS6AFR8N
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
A-DATA Technology AE4S240038G17-BHYA 8GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
A-DATA Technology DDR4 2666 2OZ 4GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4600C 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FBR 16GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Samsung M471A5244CB0-CRC 4GB
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