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Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB
比较
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB vs Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB
总分
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
总分
Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
25
35
左右 29% 更低的延时
需要考虑的原因
Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
15.1
12.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
9.2
8.6
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
10600
左右 2.42 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
25
35
读取速度,GB/s
12.8
15.1
写入速度,GB/s
8.6
9.2
内存带宽,mbps
10600
25600
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
2239
2488
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FAD 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB
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A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Crucial Technology BL32G32C16U4B.M16FB1 32GB
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Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FBD 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GTZRX 8GB
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Crucial Technology CT25664BA1339.D8FE 2GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Kingston 9905744-077.A00G 16GB
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