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Kingston 9905469-124.A00LF 4GB
Kingston 9905678-005.A00G 8GB
比较
Kingston 9905469-124.A00LF 4GB vs Kingston 9905678-005.A00G 8GB
总分
Kingston 9905469-124.A00LF 4GB
总分
Kingston 9905678-005.A00G 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
32
44
左右 -38% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15.6
11.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.8
5.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston 9905469-124.A00LF 4GB
Kingston 9905678-005.A00G 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
44
32
读取速度,GB/s
11.2
15.6
写入速度,GB/s
5.7
10.8
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1572
2991
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
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G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Atla Electronics Co. Ltd. AD4SST8GT1WB-FQGE 8GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7MFR4N
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Kingston KY7N41-MIE 8GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
A-DATA Technology DDR4 3000 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Samsung M393A1G40DB1-CRC 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAD1 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.M8FADG 4GB
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