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Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C16 4GB
比较
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB vs Corsair CMD16GX4M4B3200C16 4GB
总分
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
总分
Corsair CMD16GX4M4B3200C16 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
34
左右 21% 更低的延时
需要考虑的原因
Corsair CMD16GX4M4B3200C16 4GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
15.7
13.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.5
8.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C16 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
27
34
读取速度,GB/s
13.2
15.7
写入速度,GB/s
8.4
11.5
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2163
3226
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB RAM的比较
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FF 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3600A 8GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Crucial Technology BLE8G4D30AEEA.K16FE 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Corsair CMW16GX4M2Z4000C18 8GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
EVGA 16G-D4-2800-MR 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CM4X8GD3000C16K4 8GB
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