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Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200E 8GB
比较
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB vs Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200E 8GB
总分
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
总分
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200E 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
28
左右 4% 更低的延时
需要考虑的原因
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200E 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
17.5
13.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.3
8.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
12800
左右 2 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200E 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
27
28
读取速度,GB/s
13.2
17.5
写入速度,GB/s
8.4
15.3
内存带宽,mbps
12800
25600
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
2163
3673
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
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Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B1 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Corsair CMK16GX4M4A2133C15 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVKD 16GB
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR32C16S8K2HU416R 8GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Hypertec G2RT-4AFT00 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
ATP Electronics Inc. A4G08QA8BNPBSE 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Essencore Limited IM48GU88N24-FFFHMB 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-3000D 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Corsair CMSO32GX4M2A2133C15 16GB
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