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SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Essencore Limited IM48GU88N24-FFFHMB 8GB
比较
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB vs Essencore Limited IM48GU88N24-FFFHMB 8GB
总分
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
总分
Essencore Limited IM48GU88N24-FFFHMB 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
8.3
7.1
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Essencore Limited IM48GU88N24-FFFHMB 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
21
42
左右 -100% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15.1
13.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Essencore Limited IM48GU88N24-FFFHMB 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
42
21
读取速度,GB/s
13.7
15.1
写入速度,GB/s
8.3
7.1
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2152
2250
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Team Group Inc. DDR4 3000 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Kingston 9905630-025.A00G 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M393A4K40CB1-CRC 32GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FDD1 8GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6J1 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-I2PSAAS 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
SK Hynix HMA82GR7AFR8N-UH 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVGB 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BD7S 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Crucial Technology CT32G4DFD832A.C16FE 32GB
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