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Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Kingston XW21KG-MIE2 8GB
比较
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB vs Kingston XW21KG-MIE2 8GB
总分
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
总分
Kingston XW21KG-MIE2 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
33
左右 18% 更低的延时
需要考虑的原因
Kingston XW21KG-MIE2 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
16.9
13.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.5
8.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Kingston XW21KG-MIE2 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
27
33
读取速度,GB/s
13.2
16.9
写入速度,GB/s
8.4
13.5
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2163
3141
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Corsair CMK16GX4M2K4400C19 8GB
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SK Hynix HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FE 4GB
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Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3600C18B 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAR1 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
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Jinyu CL16-16-16 D4-2400 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Ramaxel Technology RMSA3260ME78HAF-2666 8GB
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