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Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6D1 16GB
比较
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB vs Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6D1 16GB
总分
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
总分
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6D1 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
32
左右 16% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
13.2
10.5
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6D1 16GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
8.9
8.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6D1 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
27
32
读取速度,GB/s
13.2
10.5
写入速度,GB/s
8.4
8.9
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2163
2386
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RAM 1
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G4AT 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3000C16B 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FR 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FDR2 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
G Skill Intl F4-3400C16-8GVK 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Kingston CBD32D4S2S1ME-8 8GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E1 16GB
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