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Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Mushkin MR[A/B]4U320GJJM8G 8GB
比较
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB vs Mushkin MR[A/B]4U320GJJM8G 8GB
总分
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
总分
Mushkin MR[A/B]4U320GJJM8G 8GB
差异
规格
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需要考虑的原因
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
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需要考虑的原因
Mushkin MR[A/B]4U320GJJM8G 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
23
27
左右 -17% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.9
13.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.7
8.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Mushkin MR[A/B]4U320GJJM8G 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
27
23
读取速度,GB/s
13.2
16.9
写入速度,GB/s
8.4
11.7
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2163
3034
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 4GB 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C18 Series 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZSW 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C16FG 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTZR 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston KGTWW1-MIE 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FD1 16GB
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