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Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Samsung M378A2K43CB1-CRC 16GB
比较
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB vs Samsung M378A2K43CB1-CRC 16GB
总分
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
总分
Samsung M378A2K43CB1-CRC 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
32
左右 16% 更低的延时
需要考虑的原因
Samsung M378A2K43CB1-CRC 16GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
15.6
13.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.6
8.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Samsung M378A2K43CB1-CRC 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
27
32
读取速度,GB/s
13.2
15.6
写入速度,GB/s
8.4
10.6
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2163
2900
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMA81GU6JJR8N-VK 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L18/16G 16GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FDR 16GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Corsair CMK16GX4M4B3200C16 4GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GTRS 8GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
A-DATA Technology AO1P21FC8T1-BSKS 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-20-20 D4-3600
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMK128GX4M8A2666C16 16GB
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