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Kingston 9905469-153.A00LF 4GB
Kingston 99U5678-029.A00G 8GB
比较
Kingston 9905469-153.A00LF 4GB vs Kingston 99U5678-029.A00G 8GB
总分
Kingston 9905469-153.A00LF 4GB
总分
Kingston 99U5678-029.A00G 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston 9905469-153.A00LF 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
39
75
左右 48% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
8.2
6.9
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kingston 99U5678-029.A00G 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
14.6
11.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston 9905469-153.A00LF 4GB
Kingston 99U5678-029.A00G 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
39
75
读取速度,GB/s
11.8
14.6
写入速度,GB/s
8.2
6.9
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
1901
1556
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FP 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXWB 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRX2666D464L16S/8G 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology AFSD416ES1P 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Panram International Corporation PUD42133C158G2VS 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Apacer Technology 78.C1GMS.C7Z0C 8GB
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