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Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Corsair CMW16GX4M2K4000C19 8GB
比较
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB vs Corsair CMW16GX4M2K4000C19 8GB
总分
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
总分
Corsair CMW16GX4M2K4000C19 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
25
26
左右 4% 更低的延时
需要考虑的原因
Corsair CMW16GX4M2K4000C19 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
20
12.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
18.0
8.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Corsair CMW16GX4M2K4000C19 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
25
26
读取速度,GB/s
12.8
20.0
写入速度,GB/s
8.3
18.0
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1896
4005
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Samsung M378A5143TB2-CTD 4GB
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Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTRG 8GB
Micron Technology 16KTF51264HZ-1G6M1 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FDD2 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Samsung M474A2K43BB1-CRC 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXK 16GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO432F82-3200E 32GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Corsair CMU32GX4M4C3200C16 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
V-GEN D4H4GL26A8TS5 4GB
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