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Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB
比较
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB vs Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB
总分
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
总分
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
25
53
左右 53% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
12.8
10.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
8.3
8.0
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
25
53
读取速度,GB/s
12.8
10.1
写入速度,GB/s
8.3
8.0
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1896
2319
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB RAM的比较
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Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Frequency (Mhz) *
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0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M471A5244CB0-CRC 4GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3A3 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Apacer Technology 78.CAGP7.40C0B 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FBD2 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingston CBD24D4S7D8MA-16 16GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Ramaxel Technology RMSA3260MB78HAF2400 8GB
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