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Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Samsung M378A1K43BB2-CTD 8GB

Kingston 9905471-001.A01LF 2GB vs Samsung M378A1K43BB2-CTD 8GB

总分
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Kingston 9905471-001.A01LF 2GB

Kingston 9905471-001.A01LF 2GB

总分
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Samsung M378A1K43BB2-CTD 8GB

Samsung M378A1K43BB2-CTD 8GB

差异 规格 评论

差异

Kingston 9905471-001.A01LF 2GB 需要考虑的原因
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
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Samsung M378A1K43BB2-CTD 8GB
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  • 低于PassMark测试中的延时，ns
    21 left arrow 25
    左右 -19% 更低的延时
  • 更快的读取速度，GB/s
    17.9 left arrow 12.8
    测试中的平均数值
  • 更快的写入速度，GB/s
    13.8 left arrow 8.3
    测试中的平均数值
  • 更高的内存带宽，mbps
    21300 left arrow 10600
    左右 2.01 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Samsung M378A1K43BB2-CTD 8GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时，ns
    25 left arrow 21
  • 读取速度，GB/s
    12.8 left arrow 17.9
  • 写入速度，GB/s
    8.3 left arrow 13.8
  • 内存带宽，mbps
    10600 left arrow 21300
Other
  • 描述
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
  • 时序/时钟速度
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    1896 left arrow 3167

Kingston 9905471-001.A01LF 2GB RAM的比较

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Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB
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内存RAM
Mushkin 991988 (996988) 4GB
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Corsair CMV4GX4M1A2400C16 4GB
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
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Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
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