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Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
比较
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB vs Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
总分
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
总分
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
25
37
左右 32% 更低的延时
需要考虑的原因
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
13.9
12.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
9.9
8.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
25
37
读取速度,GB/s
12.8
13.9
写入速度,GB/s
8.3
9.9
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1896
2389
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
SK Hynix HMA82GS6MFR8N-TF 16GB
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Crucial Technology BLS4G4D240FSA.M8FADM 4GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
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Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Corsair CM4B8G7L2666A16K2-O 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.M8FRS 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Corsair CMK16GX4M2Z3200C16 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Corsair CMK32GX4M4B3866C18 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Corsair CMD32GX4M4A2400C12 8GB
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