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Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-UH 4GB
比较
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB vs SK Hynix HMA851S6CJR6N-UH 4GB
总分
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
总分
SK Hynix HMA851S6CJR6N-UH 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
25
100
左右 75% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
8.3
8.1
测试中的平均数值
需要考虑的原因
SK Hynix HMA851S6CJR6N-UH 4GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
15.2
12.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-UH 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
25
100
读取速度,GB/s
12.8
15.2
写入速度,GB/s
8.3
8.1
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1896
1479
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GTZN 32GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Crucial Technology BL8G26C16U4B.8FE 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Corsair CMD32GX4M4B3466C16 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FHP 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Apacer Technology D12.2356WS.001 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4600C18-8GTZR 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston MSI24D4S7S8MH-8 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
V-GEN D4H8GL32A8TS 8GB
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