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ASint Technology SSZ3128M8-EDJ1F 2GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-WM 8GB
比较
ASint Technology SSZ3128M8-EDJ1F 2GB vs SK Hynix HMA81GU6DJR8N-WM 8GB
总分
ASint Technology SSZ3128M8-EDJ1F 2GB
总分
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-WM 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
ASint Technology SSZ3128M8-EDJ1F 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
28
29
左右 3% 更低的延时
需要考虑的原因
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-WM 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
15.6
11.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.9
8.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
23400
10600
左右 2.21 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
ASint Technology SSZ3128M8-EDJ1F 2GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-WM 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
28
29
读取速度,GB/s
11.3
15.6
写入速度,GB/s
8.4
12.9
内存带宽,mbps
10600
23400
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
排名PassMark (越多越好)
1433
3093
ASint Technology SSZ3128M8-EDJ1F 2GB RAM的比较
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology C 8GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-WM 8GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston KGTWW1-MIE 4GB
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Samsung M393A1G43DB0-CPB 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GTZ 4GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FJ 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZSWE 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston XF875V-HYA 8GB
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Crucial Technology BL8G32C16U4RL.M8FE1 8GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Corsair CMR16GX4M2D3000C16 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Smart Modular SF4641G8CK8I8GKSBG 8GB
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