RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
ASint Technology SSZ3128M8-EDJ1F 2GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-WM 8GB
Comparar
ASint Technology SSZ3128M8-EDJ1F 2GB vs SK Hynix HMA81GU6DJR8N-WM 8GB
Pontuação geral
ASint Technology SSZ3128M8-EDJ1F 2GB
Pontuação geral
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-WM 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
ASint Technology SSZ3128M8-EDJ1F 2GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
28
29
Por volta de 3% menor latência
Razões a considerar
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-WM 8GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
15.6
11.3
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.9
8.4
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
23400
10600
Por volta de 2.21 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
ASint Technology SSZ3128M8-EDJ1F 2GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-WM 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
28
29
Velocidade de leitura, GB/s
11.3
15.6
Velocidade de escrita, GB/s
8.4
12.9
Largura de banda de memória, mbps
10600
23400
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1433
3093
ASint Technology SSZ3128M8-EDJ1F 2GB Comparações de RAM
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology C 8GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-WM 8GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Mushkin MR[A/B]4U346GJJM8G 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKY 16GB
Kingston 99U5428-101.A00LF 8GB
Corsair CM4X8GE2666C16K8 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
MemxPro Inc. D4S8GHIOFFC 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO480E82-2400 8GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
SK Hynix HMA84GR7AFR4N-VK 32GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Micron Technology M471A1K43CB1-CTD 8GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
OCMEMORY OCM2933CL16-16GBH 16GB
ASint Technology SSZ3128M8-EDJ1F 2GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-WM 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FB 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C8FBD1 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Kingston MSI24D4S7S8S8-8 8GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Samsung M378A2K43DB1-CTD 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link