ASint Technology SSZ3128M8-EDJ1F 2GB против SK Hynix HMA81GU6DJR8N-WM 8GB

-->

Средняя оценка

ASint Technology SSZ3128M8-EDJ1F 2GB

ASint Technology SSZ3128M8-EDJ1F 2GB

Средняя оценка

SK Hynix HMA81GU6DJR8N-WM 8GB

SK Hynix HMA81GU6DJR8N-WM 8GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

ASint Technology SSZ3128M8-EDJ1F 2GB

Причины выбрать
ASint Technology SSZ3128M8-EDJ1F 2GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

28 29

Около 3% меньшая задержка

SK Hynix HMA81GU6DJR8N-WM 8GB

Причины выбрать
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-WM 8GB

Сообщить об ошибке

Выше скорость чтения

15.6 11.3

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

12.9 8.4

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

23400 10600

Около 2.21 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

ASint Technology SSZ3128M8-EDJ1F 2GB

SK Hynix HMA81GU6DJR8N-WM 8GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR3 DDR4
Задержка в PassMark, нс

28 29
Скорость чтения, Гб/сек

11.3 15.6
Скорость записи, Гб/сек

8.4 12.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек

10600 23400

Other

Описание

PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Тайминги / частота

7-7-7-20 / 1333 MHz 19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

1433 3093

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB

G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB

GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G32 8GB

GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G32 8GB

модули RAM

Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB

Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2133AH 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208

модули RAM

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240

Corsair CMV8GX4M1A2400C16 8GB

Corsair CMV8GX4M1A2400C16 8GB

модули RAM

SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB

SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB

Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FD 16GB

Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FD 16GB

модули RAM

ASint Technology SSZ3128M8-EDJ1F 2GB

ASint Technology SSZ3128M8-EDJ1F 2GB

SK Hynix HMA81GU6DJR8N-WM 8GB

SK Hynix HMA81GU6DJR8N-WM 8GB

модули RAM

Crucial Technology CT102464BF186D.M16 8GB

Crucial Technology CT102464BF186D.M16 8GB

G Skill Intl F4-4266C19-8GTRS 8GB

G Skill Intl F4-4266C19-8GTRS 8GB

модули RAM

Kingston 99U5458-002.A00LF 2GB

Kingston 99U5458-002.A00LF 2GB

Crucial Technology BLS16G4D32AESC.M16FE 16GB

Crucial Technology BLS16G4D32AESC.M16FE 16GB

модули RAM

A-DATA Technology DQKD1A08 1GB

A-DATA Technology DQKD1A08 1GB

Samsung M378A1G43EB1-CRC 8GB

Samsung M378A1G43EB1-CRC 8GB

модули RAM

Crucial Technology BLS8G3N169ES4.16FE 8GB

Crucial Technology BLS8G3N169ES4.16FE 8GB

Crucial Technology CT16G4SFD8266.C8FBD1 16GB

Crucial Technology CT16G4SFD8266.C8FBD1 16GB

модули RAM

Kingston 9905458-017.A01LF 4GB

Kingston 9905458-017.A01LF 4GB

Corsair CMK64GX4M4A2400C14 16GB

Corsair CMK64GX4M4A2400C14 16GB

модули RAM

Samsung M393B1K70CHD-CH9 8GB

Samsung M393B1K70CHD-CH9 8GB

A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BCIS 8GB

A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BCIS 8GB

модули RAM

Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB

Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB

Corsair CMK16GX4M2K4000C19 8GB

Corsair CMK16GX4M2K4000C19 8GB

модули RAM

SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB

SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB

Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE1 8GB

Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE1 8GB

модули RAM

AMD AE34G1601U1 4GB

AMD AE34G1601U1 4GB

Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16GB

Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16G

модули RAM