AMD AE34G1601U1 4GB против Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16GB

-->

Средняя оценка

AMD AE34G1601U1 4GB

AMD AE34G1601U1 4GB

Средняя оценка

Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16GB

Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

AMD AE34G1601U1 4GB

Причины выбрать
AMD AE34G1601U1 4GB

Сообщить об ошибке

Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16GB

Причины выбрать
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

56 67

Около -20% меньшая задержка
Выше скорость чтения

20.1 6.8

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

10.5 3.6

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

19200 12800

Около 1.5 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

AMD AE34G1601U1 4GB

Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR3 DDR4
Задержка в PassMark, нс

67 56
Скорость чтения, Гб/сек

6.8 20.1
Скорость записи, Гб/сек

3.6 10.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек

12800 19200

Other

Описание

PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота

9-9-9-24 / 1600 MHz 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

998 2455

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Kingston 9905471-006.A01LF 4GB

Kingston 9905471-006.A01LF 4GB

Corsair CMK64GX4M2A2400C16 32GB

Corsair CMK64GX4M2A2400C16 32GB

модули RAM

Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB

Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB

Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FB 16GB

Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FB 16GB

модули RAM

SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB

SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB

AMD R7416G2400U2S 16GB

AMD R7416G2400U2S 16GB

модули RAM

Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB

Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB

Kingston 9905744-066.A00G 32GB

Kingston 9905744-066.A00G 32GB

модули RAM

SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB

SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR4N-UH 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR4N

модули RAM

Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB

Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB

Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-2133 8GB

Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-2133 8GB

модули RAM

Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB

Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB

Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FE 4GB

Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FE 4GB

модули RAM

Kingston 99U5403-036.A00G 4GB

Kingston 99U5403-036.A00G 4GB

A-DATA Technology DDR4 3333 2OZ 4GB

A-DATA Technology DDR4 3333 2OZ 4GB

модули RAM

Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB

Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB

Samsung M378A2K43CB1-CRC 16GB

Samsung M378A2K43CB1-CRC 16GB

модули RAM

Team Group Inc. UD5-6400 16GB

Team Group Inc. UD5-6400 16GB

Samsung M386A8K40CM2-CRC 64GB

Samsung M386A8K40CM2-CRC 64GB

модули RAM

Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB

Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB

G Skill Intl F4-2400C15-8GNT 8GB

G Skill Intl F4-2400C15-8GNT 8GB

модули RAM

PNY Electronics PNY 2GB

PNY Electronics PNY 2GB

Crucial Technology BLS8G4D240FSBK.8FD 8GB

Crucial Technology BLS8G4D240FSBK.8FD 8GB

модули RAM

Strontium EVMT8G1600U86S 8GB

Strontium EVMT8G1600U86S 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6MFR8N-UH 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6MFR8N

модули RAM

Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB

Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB

Crucial Technology CT8G4DFS632A.M4FB 8GB

Crucial Technology CT8G4DFS632A.M4FB 8GB

модули RAM