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AMD AE34G1601U1 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16GB
比较
AMD AE34G1601U1 4GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16GB
总分
AMD AE34G1601U1 4GB
总分
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
AMD AE34G1601U1 4GB
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需要考虑的原因
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
56
67
左右 -20% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
20.1
6.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.5
3.6
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
AMD AE34G1601U1 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
67
56
读取速度,GB/s
6.8
20.1
写入速度,GB/s
3.6
10.5
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
998
2455
AMD AE34G1601U1 4GB RAM的比较
Panram International Corporation PUD31600C94GNJK 4GB
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Corsair CMK8GX4M2A2400C16 4GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHA0 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Kingston 9965669-031.A00G 16GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Tanbassh 8G 2666MHZ 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR36C18S8K2HU416R 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Kingston 9905598-009.A00G 8GB
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