RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR4N-UH 16GB
Сравнить
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR4N-UH 16GB
-->
Средняя оценка
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR4N-UH 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
10.7
9.1
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR4N-UH 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
40
43
Около -8% меньшая задержка
Выше скорость записи
6.9
6.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
10600
Около 1.81 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR4N-UH 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
43
40
Скорость чтения, Гб/сек
10.7
9.1
Скорость записи, Гб/сек
6.8
6.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
19200
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, TBD1 V tolerant, TBD2 V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1314
2031
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB Сравнения RAM
Wilk Elektronik S.A. GR1600S364L11/8G 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR4N-UH 16GB Сравнения RAM
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Good Wealth Technology Ltd. KETECH 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GVK 16GB
Corsair VS1GB800D2 1GB
Corsair CMK16GX4M2A2133C13 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1B1 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FD1 16GB
Mushkin 991586 2GB
Golden Empire CL18-22-22 D4-3600 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Micron Technology ILG8GS2400A 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393A4K40BB1-CRC 32GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS632A.C4FE 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Crucial Technology BLE8G4D32BEEAK.K8FB 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
MemxPro Inc. D4S8GHIOFFC 8GB
Protocol Engines Kingrock 800 2GB 2GB
Corsair CMK16GX4M2A2133C13 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Corsair CMK32GX4M4B3333C16 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTZRC 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link