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Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
A-DATA Technology DDR4 2800 8GB
比较
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB vs A-DATA Technology DDR4 2800 8GB
总分
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
总分
A-DATA Technology DDR4 2800 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
19.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,168.2
15.1
测试中的平均数值
需要考虑的原因
A-DATA Technology DDR4 2800 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
21
60
左右 -186% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
17000
5300
左右 3.21 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
A-DATA Technology DDR4 2800 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
60
21
读取速度,GB/s
4,595.2
19.1
写入速度,GB/s
2,168.2
15.1
内存带宽,mbps
5300
17000
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
941
3350
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB RAM的比较
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Apacer Technology GD2.1831WS.002 16GB
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A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4RL.M8FE 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-4400C17-16GTZR 16GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Crucial Technology BL32G32C16S4B.M16FB1 32GB
Corsair CMK32GX5M2B5600C36 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FAD 16GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636181DC 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
V-Color Technology Inc. TA48G30S815G 8GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Kingston KHX2133C14D4/8G 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
AMD R948G3206U2S 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston 9905663-007.A00G 16GB
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