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Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Corsair CM4X16GE2666C16K2 16GB
比较
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB vs Corsair CM4X16GE2666C16K2 16GB
总分
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
总分
Corsair CM4X16GE2666C16K2 16GB
差异
规格
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需要考虑的原因
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
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Corsair CM4X16GE2666C16K2 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
54
73
左右 -35% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
10.6
6.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
6.1
4.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
8500
左右 2 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Corsair CM4X16GE2666C16K2 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
73
54
读取速度,GB/s
6.1
10.6
写入速度,GB/s
4.7
6.1
内存带宽,mbps
8500
17000
Other
描述
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1021
2091
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3600C14-8GTRSB 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBD1 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology BLT8G4D30AETA.K16FE 8GB
A-DATA Technology DDR3 2600 2OZ 8GB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Corsair CM4X8GD3000C15K4 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
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