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Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Corsair CMT16GX4M2C3600C18 8GB
比较
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB vs Corsair CMT16GX4M2C3600C18 8GB
总分
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
总分
Corsair CMT16GX4M2C3600C18 8GB
差异
规格
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差异
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Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
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Corsair CMT16GX4M2C3600C18 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
28
73
左右 -161% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
20.9
6.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
16.9
4.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
8500
左右 2 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Corsair CMT16GX4M2C3600C18 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
73
28
读取速度,GB/s
6.1
20.9
写入速度,GB/s
4.7
16.9
内存带宽,mbps
8500
17000
Other
描述
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1021
3835
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CMK16GX4M4B3600C18 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
SK Hynix HMA41GR7MFR8N-TF 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1A2 8GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GSXK 8GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Good Wealth Technology Ltd. KETECH 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Micron Technology 9905625-004.A03LF 8GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G3B2 64GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Kingston 9965600-018.A00G 16GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Chun Well Technology Holding Limited CL17-17-17 D4-2400
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAR1 8GB
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