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Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE1 8GB
比较
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB vs Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE1 8GB
总分
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
总分
Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE1 8GB
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Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE1 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
26
73
左右 -181% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18.8
6.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.2
4.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
8500
左右 2.26 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE1 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
73
26
读取速度,GB/s
6.1
18.8
写入速度,GB/s
4.7
15.2
内存带宽,mbps
8500
19200
Other
描述
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1066 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1021
3666
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMK16GX4M2K4266C16 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GFX 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
V-Color Technology Inc. TL48G30S8KSRGB15 8GB
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Kingston 9905663-005.A00G 16GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Crucial Technology BLS4G4S240FSD.8FBD 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7AFR8N
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FB 4GB
Samsung M378B5173QH0-CK0 4GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FA 16GB
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