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Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FJ 16GB
比较
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB vs Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FJ 16GB
总分
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
总分
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FJ 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
35
73
左右 -109% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15.6
6.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.5
4.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
8500
左右 2.51 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FJ 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
73
35
读取速度,GB/s
6.1
15.6
写入速度,GB/s
4.7
12.5
内存带宽,mbps
8500
21300
Other
描述
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1066 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
1021
3060
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Super Talent F3200UA8G 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GFXR 16GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C14 4GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRSWK 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
EVGA 16G-D4-2400-MR 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2800 CL15 4GB 4GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Crucial Technology BL8G36C16U4W.M8FE1 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB
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