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Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Kingston 9905744-024.A00G 16GB
比较
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB vs Kingston 9905744-024.A00G 16GB
总分
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
总分
Kingston 9905744-024.A00G 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
38
73
左右 -92% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
14.4
6.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.9
4.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
8500
左右 2.51 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Kingston 9905744-024.A00G 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
73
38
读取速度,GB/s
6.1
14.4
写入速度,GB/s
4.7
12.9
内存带宽,mbps
8500
21300
Other
描述
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1066 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
1021
2836
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB RAM的比较
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Kingston 9905744-024.A00G 16GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FBD2 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FB 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Virtium Technology Inc. VL4A1G63A-N6SE-NI 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZRC 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FAD1 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L18/16G 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston KHX2400C12D4/4GX 4GB
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