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Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB
比较
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB vs Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB
总分
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
总分
Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB
差异
规格
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Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
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Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
32
73
左右 -128% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
10.8
6.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
8.5
4.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
8500
左右 2.26 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
73
32
读取速度,GB/s
6.1
10.8
写入速度,GB/s
4.7
8.5
内存带宽,mbps
8500
19200
Other
描述
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1066 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1021
2349
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB RAM的比较
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BL16G26C16U4B.16FE 16GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7MFR8N
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M8FRS 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Corsair CMD16GX4M2B3200C14 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GTRG 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO432F82-3200E 32GB
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