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Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
V-Color Technology Inc. TL48G30S8KGRGB15 8GB
比较
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB vs V-Color Technology Inc. TL48G30S8KGRGB15 8GB
总分
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
总分
V-Color Technology Inc. TL48G30S8KGRGB15 8GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
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需要考虑的原因
V-Color Technology Inc. TL48G30S8KGRGB15 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
46
73
左右 -59% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.4
6.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.2
4.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
8500
左右 2 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
V-Color Technology Inc. TL48G30S8KGRGB15 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
73
46
读取速度,GB/s
6.1
16.4
写入速度,GB/s
4.7
10.2
内存带宽,mbps
8500
17000
Other
描述
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1021
2453
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RAM Latency Calculator
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
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G Skill Intl F4-3400C16-8GVK 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRS 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Samsung M471A2K43CB1-CTCT 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Corsair CMK8GX4M2A2133C13 4GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Samsung M378A5143EB1-CPB 4GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Corsair CM4X16GE2666C18S4 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E1 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GS6AFR8N
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