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Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Kingston 9905624-033.A00G 8GB
比较
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB vs Kingston 9905624-033.A00G 8GB
总分
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
总分
Kingston 9905624-033.A00G 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
25
38
左右 -52% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15.2
12.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.7
8.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Kingston 9905624-033.A00G 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
38
25
读取速度,GB/s
12.9
15.2
写入速度,GB/s
8.3
11.7
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2144
2564
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB RAM的比较
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Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E85-2666E 8GB
Kingston 9905624-033.A00G 8GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905734-062.A00G 32GB
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G Skill Intl F4-4266C16-8GTZR 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Advantech Co Ltd SQR-SD4N8G2K6SNBCB 8GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
Corsair CMK128GX4M8Z2933C16 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-VK 16GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Samsung M471A4G43MB1-CTD 32GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Corsair CMK16GX4M2E4000C19 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FE 8GB
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