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Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
EXCELERAM D4168G8HHSS9CJRB21 16GB
比较
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB vs EXCELERAM D4168G8HHSS9CJRB21 16GB
总分
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
总分
EXCELERAM D4168G8HHSS9CJRB21 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
37
89
左右 58% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
7.5
7.1
测试中的平均数值
需要考虑的原因
EXCELERAM D4168G8HHSS9CJRB21 16GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
14.2
12
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
EXCELERAM D4168G8HHSS9CJRB21 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
37
89
读取速度,GB/s
12.0
14.2
写入速度,GB/s
7.5
7.1
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
1853
1571
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB RAM的比较
Kingston 9905471-017.A00LF 4GB
Corsair CMD8GX3M2A1600C8 4GB
EXCELERAM D4168G8HHSS9CJRB21 16GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Corsair CMD32GX4M2C3200C16 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Kingston KHX3200C18D4/16G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVR 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C8FE 2GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832160B 8GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Avant Technology W644GU44J2320NH 32GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CM4X8GF2400C16N2 8GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Samsung M378A1K43DB2-CVF 8GB
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