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Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-VK 16GB
比较
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB vs SK Hynix HMA82GU6CJR8N-VK 16GB
总分
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
总分
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-VK 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
25
33
左右 24% 更低的延时
需要考虑的原因
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-VK 16GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
16
15.5
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.1
9.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-VK 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
25
33
读取速度,GB/s
15.5
16.0
写入速度,GB/s
9.7
12.1
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2650
3082
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FG 4GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Kingston LV32D4U2S8HD-8X 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Samsung M471A2K43BB1-CRC 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
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Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Mushkin MR[A/B]4U320LLLM16G 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6H1 32GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3200C16A 8GB
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