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Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 16GB 16GB
比较
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB vs Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 16GB 16GB
总分
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
总分
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 16GB 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
13.9
12.1
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 16GB 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
32
43
左右 -34% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
8.5
8.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 16GB 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
43
32
读取速度,GB/s
13.9
12.1
写入速度,GB/s
8.4
8.5
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 12 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2322
2478
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
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Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Corsair CMK16GX4M1B3000C15 16GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G2G1 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB
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