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Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Corsair CM4X8GD3000C16K4 8GB
比较
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB vs Corsair CM4X8GD3000C16K4 8GB
总分
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
总分
Corsair CM4X8GD3000C16K4 8GB
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Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
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Corsair CM4X8GD3000C16K4 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
33
43
左右 -30% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.6
13.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.3
8.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Corsair CM4X8GD3000C16K4 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
43
33
读取速度,GB/s
13.9
16.6
写入速度,GB/s
8.4
13.3
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2322
3122
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB RAM的比较
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
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0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
UMAX Technology D4-2400-4GB-512X8-L 4GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GRR 4GB
Kingston LV32D4S2S8HD-8 8GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FAD 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-16GTZ 16GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
SK Hynix HMA41GR7AFR4N-TF 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Transcend Information TS1GLH64V1H 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3200C16-16GTRG 16GB
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