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Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Kingston 9905624-033.A00G 8GB
比较
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB vs Kingston 9905624-033.A00G 8GB
总分
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
总分
Kingston 9905624-033.A00G 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
25
43
左右 -72% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15.2
13.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.7
8.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Kingston 9905624-033.A00G 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
43
25
读取速度,GB/s
13.9
15.2
写入速度,GB/s
8.4
11.7
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2322
2564
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FG 4GB
Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB
Smart Modular SMS4TDC8C1K0446FCG 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Transcend Information JM3200HLB-16G 16GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Kingston KF2666C16D4/16G 16GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Samsung M393A2K43BB1-CPB 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3733 C17 Series 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Essencore Limited IM48GU88N21-FFFHM 8GB
Kingston 9965525-058.A00LF 8GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1A1 16GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-XN 8GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-VK 8GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Kingston 9965745-002.A00G 16GB
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