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Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Transcend Information JM3200HLB-16G 16GB
比较
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB vs Transcend Information JM3200HLB-16G 16GB
总分
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
总分
Transcend Information JM3200HLB-16G 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
35
36
左右 3% 更低的延时
需要考虑的原因
Transcend Information JM3200HLB-16G 16GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
21.3
14.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
16.8
9.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
10600
左右 2.42 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Transcend Information JM3200HLB-16G 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
35
36
读取速度,GB/s
14.4
21.3
写入速度,GB/s
9.5
16.8
内存带宽,mbps
10600
25600
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 22 24
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
2321
3610
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB RAM的比较
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
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G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingston 9905702-120.A00G 8GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2400C15Z8GNT 8GB
Kingston KHX1866C10D3/4G 4GB
SK Hynix HMA41GR7BJR4N-UH 8GB
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